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氟硅酸钙制备四氟化硅的方法

来源:国晶化工 日期:2019-07-26 15:25:12

氟硅酸钙制备四氟化硅的方法

用氟硅酸钙制备四氟化硅的方法:

技术领域:

本发明涉及一种制备四氟化硅的方法,尤其是涉及一种以水合氟硅酸钙为原料制备四氟化硅的方法。

背景技术:

四氟化硅,分子式为SiF4,在电子和半导体行业中应用广泛。主要用于氮化硅、硅化鉬等的蚀刻剂、P型掺杂剂、外延沉积扩散硅源等,还可用于制备电子级硅烷或硅。四氟化硅还可用作光导纤维用高纯石英玻璃的原料,其在高温火焰中水解可产生具有高比表面积的热沉二氧化硅。此外,四氟化硅还广泛用于制备太阳能电池,氟硅酸和氟化铝,化学分析用氟化剂,油井钻探、镁合金浇铸用催化剂、蒸熏剂、水泥和人造大理石的硬化剂以及有机硅化合物的合成材料等方面。

现有的四氟化硅的制备方法主要有硫酸法、氟硅酸法、氢氟酸法、氟硅酸钠法。硫酸法采用硫酸、萤石、二氧化硅高温反应,腐蚀严重、能耗高,生产的四氟化硅气体中易含硅氧烷等杂质,在精制四氟化硅过程中不易除去,同时还副产含氟废渣;氟硅酸法由氟硅酸和浓硫酸反应而得,使用硫酸对设备腐蚀严重,还副产含氟废液;中国发明专利名称为一种四氟化硅的制备方法(公开号为CN101481113),公开了用氟硅酸与氧化镁反应10-60分钟,再在25-55°C下气鼓动1-3小时,最后在200-300°C下煅烧1_2小时得到四氟化硅,减轻了对设备的腐蚀,但是该方法中氧化镁较稀缺,较贵,用氧化镁制备四氟化硅成本较高,且四氟化硅收率相对较低。